Таблица 32-01-021. Оборудование для эпитаксии

• 32-01-021-01 — Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом
• 32-01-021-02 — Установка: эпитаксиального наращивания пленок монокристаллов
• 32-01-021-03 — Установка: наращивания эпитаксиальных слоев
• 32-01-021-04 — Установка: для изготовления многослойных гетероэпитаксиальных структур